Ατομικά στοιχεία

Όνομα: Ευαγγέλου Ευάγγελος
Ημ/νια γέννησης: 10 Οκτωβρίου 1963
Ατομική κατάσταση: Έγγαμος
Διεύθυνση:

Τομέας Στερεάς Καταστάσεως,Υλικών & Επιφανειών
Τμήμα Φυσικής,
Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων
Τηλέφωνο εργασίας: 2-6510-98494
Τηλέφωνο οικίας: 2-6510-73145
FAX: 2-6510-98677

Απολυτήριο Λυκείου, Iωάννινα το 1981.
Πτυχίο Φυσικής , Iούλιος 1985 με βαθμό "Λίαν Kαλώς" 7.53 .
Τον Ιούνιο του 1994 το Τμήμα Φυσικής μου απένειμε τον τίτλο του Διδάκτορα των Φυσικών Επιστημών.

Διδακτορική Διατριβή

Μελέτη Ατελειών σε Ημιαγωγούς της Οικογένειας Al x Ga 1-x As (Ιωάννινα 1994) 

Υποτροφίες

Κατά τη διάρκεια των προπτυχιακών μου σπουδών έλαβα τέσσερις ετήσιες υποτροφίες από το ΙΚΥ.

Προϋπηρεσία

Ελεύθερος επαγγελματίας Σεπτέμβριος 1993 – Οκτώβριος 1995
Παν. Ιωαννίνων Λέκτορας Νοέμβριος 1995 – Αύγουστος 2003
" Επίκ. Καθηγητής Σεπτέμβριος 2003 -

Αυτοδύναμη διδασκαλία προπτυχιακών μαθημάτων:

•  Εργαστήρια Μηχανικής και Θερμότητας (1ου έτους)
ακαδ. έτη 1995-'96 έως 2000-'01, 2002-'03 και 2003-'04
•  Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές (1ου έτους)
ακαδ. έτη 1995-'96, 1996-‘97
•  Ηλεκτρονικά Κυκλώματα (4ου έτους)
ακαδ. έτη 1995-'96, 1996-'97, 1997-'98 και 1998-‘99
•  Ηλεκτρονικές Διατάξεις (4ου έτους)
ακαδ. έτος 1999-'00 *
•  Ειδικά Θέματα Φυσικής ( Ο χρησιμοποιούμενος τίτλος για τις Διπλωματικές εργασίες του τμήματος Φυσικής)
•  Εισαγωγή στα Ψηφιακά Ηλεκτρονικά (4ου έτους)
ακαδ. έτη 1999-'00, 2000-‘01*
•  Εισαγωγή στα Ψηφιακά Ηλεκτρονικά (2ου έτους Τμήμ. Πληροφορικής)
ακαδ. έτος 1998-1999
•  Ψηφιακά Ηλεκτρονικά ( 2 ου ή 3 ου έτους)
α καδ. έτη 2002-'03, 2003-'04 έως 2007-'08)
•  Αναλογικά Ηλεκτρονικά ( 2 ου ή 3 ου έτους)
α καδ. έτη 2002-'03, 2003-'04 έως 2007-'08)
•  Γενική Φυσική Ι , (1ου έτους)
ακαδ. έτος 1996-1997
•  Γενική Φυσική ΙΙΙ , (2ου έτους)
ακαδ. έτος 2002-2003)

Σημείωση: Τα μαθήματα που σημειώνονται με αστερίσκο (*) οργανώθηκαν και διδάχτηκαν για πρώτη φορά στο Τμήμα Φυσικής

Αυτοδύναμη διδασκαλία μεταπτυχιακών μαθημάτων:

•  Αναλογικά Ηλεκτρονικά, ΠΜΣ «Σύγχρονες Ηλεκτρονικές Τεχνολογίες»
ακαδ. έτη 1997-'98, 1998-‘99, 1999-'00, 2000-‘01)
•  Φίλτρα στο ΠΜΣ «Σύγχρονες Ηλεκτρονικές Τεχνολογίες»
ακαδ. έτη 2003-'04, 2004-'05)
•  Ηλεκτρονικοί Υπολογιστές ΙΙ , (3ου τριμήνου, ακαδ. έτη 1998-'99 , 1999-'00)
IV .
•  Διδασκαλία του μαθήματος "Πληροφορική", στα πλαίσια του Προγράμματος "Ακαδημαϊκής και Επαγγελματικής Αναβάθμισης Εκπαιδευτικών Πρωτοβάθμιας Εκπαίδευσης – Νηπιαγωγών - (Εργο 1362, Παιδαγωγικό Τμήμα Νηνπιαγωγών, Παν. Ιωαννίνων). Η διδασκαλία είναι πλέον των 400 ωρών από το 2000 έως σήμερα.

Εργαστηριακές Ασκήσεις Ψηφιακών Ηλεκτρονικών , Τυπογραφείο Π.Ι. (1999)

•  Research Fellow , The Notingham Trent University , Electrical and Electronic Engineering Department, Nottingham , UK ( Ιαν 1996 – Ιαν 1997)

•  Συνεργαζόμενος ερευνητής, Laboratorio MDM – INFM , Agrate ( MI ) Ιταλία, (Οκτ 2001-Οκτ 2002, στα πλαίσια της εκπαιδευτικής μου άδειας)

•  Συνεργαζόμενος ερευνητής, Ινστιτούτο Επιστήμης Υλικών, ΕΚΕΦΕ "Δημόκριτος" (2004 - )

Κριτής σε Επιστημονικά περιοδικά

Από το 1999 έχω κρίνει εργασίες που υποβλήθηκαν στα περιοδικά: Journal of Applied Physics και Applied Physics Letters. Επιπλέον είμαι κριτής σε περιοδικά του Institute Of Physics (IOP).Επίσης, μέσω της συμμετοχής μου σε διεθνή συνέδρια, έχω κρίνει και εργασίες στα περιοδικά: Materials Science in Semiconductor Processing, Applied Surface Science, καθώς και άλλων περιοδικών του εκδοτικού οίκου Elsevier.

Έχω συμμετάσχει στα εξής χρηματοδοτούμενα ερευνητικά προγράμματα:

•  Μελέτη επίδρασης ακτινοβολιών σε επιταξιακά στρώματα GaAs
(ΠΕΝΕΔ 1988-89)

•  Radiation damage in AlxGa1-xAs and GaAs Semiconductor Devices
(British Council 1988)

•  Αισθητήρες τεχνητής όρασης (ΑΙΣΤΟΡ). Επιστημονικός Υπεύθυνος για το Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων του δικτύου στα πλαίσια του ΕΠΕΤ ΙΙ. (1996-1998)

•  Μελέτη υμενίων άνθρακα και νιτριδίων του άνθρακα. (ΠΕΝΕΔ 1999) Επιστημονικός υπεύθυνος για το Παν. Ιωαννίνων .

•  INVEST. Επιστ . Υπεύθυνοι : Α . Δημουλάς ( ΕΚΕΦΕ Δημόκριτος ) και M. Fanciulli ( Laboratorio MDM – INFM). Μελέτη νέων υλικών υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς για την αντικατάσταση του Διοξειδίου του Πυριτίου στη Μικρο- και Νανοηλεκτρονική τεχνολογία.

•  “Μελέτη νάνο-διατάξεων CMOS (NANOCMOS) υψηλής ταχύτητας, βασισμένων σε τεχνολογία Γερμανίου” (Πυθαγόρας ΙΙ , 2005-2006, Επιστημονικός υπεύθυνος)

Εκπαιδευτικά Προγράμματα

Ι. Συνεργασία με “The Nottingham Trent University”, Nottingham UK, στα πλαίσια του προγράμματος Socrates.

Επίβλεψη διατριβών

Συμμετείχα στις τριμελείς επιτροπές για την επίβλεψη των ΜΔΕ τεσσάρων φοιτητών του Τμήματος Φυσικής του Παν. Ιωαννίνων.

Είμαι επιβλέπων σε δύο διδακτορικές διατριβές φοιτητών του Τμήματος Φυσικής του Παν. Ιωαννίνων.

Εχω διατελέσει μέλος της επιτροπής παραλαβής υλικών, της επιτροπής Βιβλιοθήκης και της επιτροπής οργάνωσης των φοιτητικών εργαστηρίων.

NATO Advanced Research Workshop on Unconventional Optical Elements for Information Storage, Processing and Communications.

Tel Aviv , Israel October 1998 (απλή συμμετοχή)

Αισθητήρες Τεχνητής Όρασης (ΑΙΣΤΟΡ). Ιωάννινα, Μαϊος 1998.
Διοργανωτής της ημερίδας στο Πανεπιστήμιο Ιωαννίνων.

Insulating Films On Semiconductors (INFOS) 2007, Ιούνιος 2007, Αθήνα,
μέλος της οργανωτικής επιτροπής.

Κατά τη διάρκεια των μεταπτυχιακών μου σπουδών ασχολήθηκα εκτενώς με τον ηλεκτρικό χαρακτηρισμό ατελειών σε ημιαγωγικές διατάξεις όπως: δίοδοι Schottky, LED διπλής ετεροεπαφής. Επίσης ασχολήθηκα και με τη μελέτη των ημιαγωγών της οικογένειας III-V (GaAs, AlGaAs κλπ) και πυριτίδια πλατίνας και σιδήρου.

Ταυτόχρονα την ίδια εποχή ασχολήθηκα και με την κατασκευή και μελέτη φθοριζουσών οθονών που προορίζονταν κυρίως για ακτινοσκοπικές διατάξεις.

Επιπλέον απέκτησα μεγάλη εμπειρία σε τεχνικές προγραμματισμού και αυτοματοποιήσεως ψηφιακών συστημάτων σε περιβάλλον MS - DOS και MS - Windows ( LabView ).

Από το 1996 και μετά ασχολούμαι με δύο κυρίως θέματα.

•  Τη μελέτη διατάξεων που περιέχουν λεπτά υμένια αμόρφου άνθρακα για χρήση σε διατάξεις μικροηλεκτρονικής και

•  Τη μελέτη υλικών μεγάλου ενεργειακού χάσματος και υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς, για χρήση σε διατάξεις Μετάλλου-Μονωτή-Ημιαγωγού ( MIS ).

Το δημοσιευμένο ερευνητικό μου έργο αποτελείται από 43 δημοσιευμένες εργασίες σε έγκριτα διεθνή περιοδικά. Επίσης 19 εργασίες σε διεθνή συνέδρια με κριτές και άνω των είκοσι σε Ελληνικά.

Ακολουθεί κατάλογος δημοσιεύσεων με χρονολογική σειρά. Ο αριθμός σε αγκύλες [] είναι ο impact factor του αντίστοιχου περιοδικού (στοιχεία 2001).

Η κατάταξη του θέματος κάθε εργασίας σε μία επιστημονική περιοχή δίνεται μέσα σε αγκύλες {} και είναι υποκειμενική.

Α. Εγκριτα Διεθνή περιοδικά

•  N . G . Alexandropoulos , T . Alexandropoulou , D . Anagnostopoulos , E . Evangelou , K . Kotsis , I . Theodoridou ,
“ Chernobyl fallout on Ioannina , Greece ”
Nature , 322 , p .779 (1986). [27.955] { Εφηρμοσμένη Φυσική }

•  A.Christou, E.Evangelou , G. Giakoumakis, G.Papaioannou,
“On the interface traps in the GaAs Au-refractory barriers”,
Solid State Comm. 73 , p.29 (1990) . [1.381] { Μικροηλεκτρονική }

•  G.E. Giakoumakis, C.D.Nomikos, E.N. Yiakoumakis, E.K.Evangelou ,
“Absolute efficiency of rare earth oxysulphide screens in reflection mode observation” Phys. Med. Biol . 35 , p .1017 (1990) . [1.805] { Εφηρμοσμένη Φυσική }

•  C.A.Dimitriadis, E.K.Polychroniadis, E.K.Evangelou , G.E. Giakoumakis, “Morphology of platinum silicide films prepared by conventional and rapid thermal annealing and deep levels in silicon”,
J.Appl. Phys. 70 , p.3109 (1991) . [2.128] { Μικροηλεκτρονική }

•  E.K.Evangelou , A.D.Horevas. G.E. Giakoumakis, N.G.Alexandropoulos,
“A microcomputer based Deep Level Transient Spectroscopy system”
Solid State Comm. 80 , p.247 (1991) . [1.381] { Εφηρμοσμένη Φυσική }

•  G.E. Giakoumakis, C.D. Nomikos, P. Skountzos, S. Koutroubas, A. Zisos, E.N. Yiakoumakis, M.C. Katsarioti, J.A. Kaliakatsos, M. Rovithi, G.S. Panayiotakis
E.K. Evangelou ,
“Y 2 O 2 :Eu phosphor screens evaluation”
Medical Physics, 20 , p.79 (1993) . [2.313] { Εφηρμοσμένη Φυσική }

•  E.K. Evangelou , C.A. Dimitriadis, G.E. Giakoumakis,
“Deep Levels in β -FeSi 2 /Si heterojunctions”,
Solid State Comm., 86 , p.309 (1993) . [1.381] { Μικροηλεκτρονική }

•  E.K. Evangelou , L. Papadimitriou, C.A. Dimitriadis, G.E. Giakoumakis,
“Extraction of Schottky diode (and p-n junction) parameters
from I-V characteristics”,
Solid State Elctronics, 36 , p.1633 (1993) . [0.950] { Μικροηλεκτρονική }

•  G.E. Giakoumakis, E.K. Evangelou , N.G. Alexandropoulos,
“Deep Level Transient Spectroscopy techniques and systems”,
Acta Physica Hungarica, 74 , p.129 (1994) . { Μικροηλεκτρονική }

•  D.Cavouras, I.Kandarakis, G.Panayiotakis, E.Evangelou , C.Nomikos
“An evaluation of the Y 2 O 3 :Eu 3 + scintillator for application in medical x-ray detectors and image receptors”,
Medical Physics, 23 , p.1965 (1996) . [2.313] { Εφηρμοσμένη Φυσική }

•  S.Logothetidis, E.Evangelou and N.Konofaos,
“Properties and density of states of the interface between silicon and carbon films rich in sp 3 bonds grown by rf sputtering”,
J. Appl. Phys ., 82 , p .5017 (1997) . [2.128] { Εφηρμοσμένη Φυσική }

•  R.M.Ranson, E.Evangelou , and C.B.Thomas,
“Modelling the fluorescent lifetime of Y 2 O 3 :Eu”,
Appl. Phys. Lett., 72(21) , p. 2663, (1998) . [3.849] { Εφηρμοσμένη Φυσική }

•  N.Konofaos, E. Evangelou and C.B.Thomas,
“Device characterization for amorphous diamond-like carbon-silicon heterojunctions”,
J. Appl. Phys . 84 , p .4634 (1998) . [2.128] {Μικροηλεκτρονική}

•  C.A.Dimitriadis, G.Kamarinos, J. Brini, E.K.Evangelou and V.K.Gueorguiev , “Avalanche-induced excess noise in polycrystalline silicon thin-film transistors”,
Appl. Phys. Letters, 74 , p.108, (1999) . [3.849] { Μικροηλεκτρονική }

•  E.K. Evangelou , N.Konofaos, S.Logothetidis and M.Gioti,
“Electrical behaviour of metal/a-C/Si and metal/CN/Si devices”,
Carbon, 37 , p.871, (1999) . [2.340] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou , S.Logothetidis,
“The effect of the layered structure on the electronic properties of amorphous carbon films on n-Si”,
J. Appl. Phys . 86 (8), p .4446, (1999) . [2.128] {Μικροηλεκτρονική}

•  E.K.Evangelou , N.Konofaos, S.Logothetidis and M.Gioti,
“Nitrogen Induced States at The CN x /Si Interface”,
Materials Science & Eng. B . 71 , p .315 (2000) [1.022] {Μικροηλεκτρονική}

•  E.K.Evangelou , N. Konofaos, C.B. Thomas,
“Properties of Barium Titanate (Ba Τ i Ο 3 ) Thin Films Grown on Silicon by rf- Magnetron Sputtering”,
Philosophical Magazine B, 80(3). p.395 (2000) [1.238] { Μικροηλεκτρονική }

•  E.K.Evangelou , N.Konofaos, M.R.Craven, W.M.Cranton and C.B.Thomas,
“Characterisation of the BaTiO 3 /p-Si interface for application on ACTFEL devices”,
Applied Surface Science 166 , p.504 (2000) [1.195] { Εφηρμοσμένη Φυσική }

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou, F.Scholz, K.Zieger and E.Aperathitis,
“Electrical Characterisation of Ga Α s p/i/n Devices For Photovoltaic Applications”,
Materials Science & Eng. B 80 , p . 152 (2000) [ 1.022 ] {Μικροηλεκτρονική}

•  E.K.Evangelou, N.Konofaos, X. Aslanoglou, C. Dimitriadis, P.Patsalas, S. Logothetidis, M. Kokkoris, E. Kossionides, R. Vlastou, R. Groetschel, “Characterization of DC-magnetron sputtering deposited thin films of TiN for use as a metal electrode on TiN/SiO 2 /Si MOS devices”,
J. Appl. Phys . 88 (12), p .7192, (2000) . [2.128] . {Μικροηλεκτρονική}

•  E.K.Evangelou, N.Konofaos, X. Aslanoglou, S. Kennou, C.B. Thomas, “Characterisation of BaTiO 3 thin films on p-Si”,
Materials Science in Semiconductor Processing 4 , p. 305 (2001). [0.419] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.Konofaos, C.T.Angelis, E.K.Evangelou , Panayiotatos Y, Dimitriadis CA, Logothetidis S ,
“Electrical characterisation of TiN/a-C/Si devices grown by RF magnetron sputtering at room temperature”,
Applied Physics Letters 78 (12), p. 1649 (2001). [3.849] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.A.Hastas, C.A.Dimitriadis, S.Logothetidis, C.T.Angelis, N.Konofaos and E.K.Evangelou ,
“Temperature dependence of the barrier at the tetrahedral amorphous carbon-silicon interface”,
Semic. Scie. & Technology, 16 , p.474 (2001), [1.079] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.Konofaos , C.T.Angelis, E.K.Evangelou , C.A.Dimitriadis, and S.Logothetidis, “Charge Carriers response time in sputtered a-C/n-Si Heterojunctions”,
Applied Physics Letters 79 (15), p.2381 (2001). [ 3.849] { Μικροηλεκτρονική }

•  S.Wang, V.Kugler, U.Helmersson, N.Konofaos, E.K.Evangelou , S.Nakao and P.Jin,
“Electrical properties of SrTiO 3 thin films on Si deposited by magnetron sputtering at low temperature ”,
Applied Physics Letters 79 (10), p.1513 (2001). [ 3.849 ] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou , S.Logothetidis, M.Gioti,
“Electrical Properties of Carbon Nitride Films on Silicon”.
Journal of Applied Physics 91 (12), p. 9915 (2002) . [2.128] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou , Z.Wang, V.Kugler and U.Helmersson,
“ Ε lectrical characterization of SrTiO 3 /Si interfaces”,
Journal of Non-Crystalline Solids, 303 (1), p. 185, (2002). [1.363] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou , N.A.Hastas, Y.Panayiotatos, C.A.Dimitriadis and S.Logothetidis,
“The effects of interface and bulk defects on the electrical performance of amorphous carbon-silicon heterojunctions”,
Materials Science & Engineering B 91-92 , p. 379 (2002). [1.022] { Μικροηλεκτρονική }

•  Zhongchun Wang, V.Kugler, U.Helmersson, N.Konofaos and E.K.Evangelou , “Characteristics of SrTiO 3 thin films deposited on Si by rf magnetron sputtering under different substrate temperatures
Philosophical Magazine B 82 (8), p. 891, (2002). [ 1.238 ] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou ,
"Electrical characterisation of the SiON/Si interface for applications on optical and MOS devices".
Semiconductor Science & Technology 18 , p.59 (2003) . [1.079] { Μικροηλεκτρονική }

•  Evangelou EK, Wiemer C, Fanciulli M, Sethu M, Cranton W,
” Electrical and structural characteristics of yttrium oxide films deposited by rf-magnetron sputtering on n-Si”
Journal of Applied Physics 94 (1): p.318 (2003) . [2.128] { Μικροηλεκτρονική }

•  Ν .Konofaos, Ε .K.Evangelou , X.Aslanoglou, M.Kokkoris, R.Vlastou,
“Dielectric properties of CVD grown SiON thin films on Si for MOS microelectronic devices.'
Semiconductor Science & Technology 19 , pp. 50-53 (2004). [1.079] { Μικροηλεκτρονική }

•  S.Logothetidis, P.Patsalas, E.K.Evangelou , N.Konofaos, J.Tsiaousis and N.Frangis,
‘Dielectric Properties and Electronic Transitions of Porous and Nanostructured CeO 2 Films',
Materials Science and Engineering B, 109 , 1-3 , pp. 69-73 (2004). [1.022] { Μικροηλεκτρονική }

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou , Z. Wang and U.Helmersson,
“Characterisation of Al/SrTiO 3 /ITO capacitors for microelectronic applications”
IEEE Transactions on Electron Devices, 51 (7) , pp. 1202-1205. (2004). { Μικροηλεκτρονική }

•  A. Dimoulas, G. Mavrou, G. Vellianitis, E. Evangelou, N. Boukos, M. Houssa and M. Caymax
”HfO 2 high- k gate dielectrics on Ge (100) by atomic oxygen beam deposition”
Appl. Phys . Lett . 86 , 032908 (2005) [ 3.849 ] {Μικροηλεκτρονική}

•  Ν .Konofaos, I.Deliyianakis, E.K.Evangelou , M.Gioti, S.Logothetidis,
“An electrical, optical and EPR study of room temperature deposited CN X films on Si.” Thin Solid Films, Vol. 482(1-2), pp. 270-274 (2005) . { Μικροηλεκτρονική}

•  N Konofaos, Z Wang, Th K Voilas, S N Georga, C A Krontiras, M N Pisanias, J Sotiropoulos and E K Evangelou
«Temperature dependence of the electrical properties of MOS devices constructed by sol gel deposited BaTiO3 films on p-Si», Journal of Electronic Materials , 34(9), pp. 1259-1263, (2005 ) { Μικροηλεκτρονική }

•  A. Dimoulas, G. Vellianitis, G. Mavrou, E.K. Evangelou , K. Argyropoulos, M. Houssa,
“ Minority carrier response time in HfO 2 /Ge metal -insulator -semiconductor capacitors ”,
Microelectronic Engineering 80 , 34 (2005) { Μικροηλεκτρονική }

•  A. Dimoulas, G. Vellianitis, G. Mavrou, E.K. Evangelou , A. Sotiropoulos “ Intrinsic carrier effects in HfO 2 -Ge metal-insulator-semiconductor capacitors ”,
Appl. Phys. Lett. 86 , 223507 (2005) { Μικροηλεκτρονική }

•  A. Dimoulas, D.P. Brunco, S. Ferrari, J.W. Seo, Y. Panayiotatos, A. Sotiropoulos, T. Conard, M. Caymax, S. Spiga, M. Fanciulli, Ch. Dieker, E. K. Evangelou , S. Galata, M. Houssa, M. M. Heyns,
“ Interface engineering for Ge MOS devices ”,
Accepted for publication in Thin Solid Films, 2006 { Μικροηλεκτρονική }

•  E.K. Evangelou , G. Mavrou , A. Dimoulas , N. Konofaos ,
“ Rare earth oxides as high-k dielectrics for Ge based MOS devices: An electrical study of Pt/Gd 2 O 3 /Ge capacitors ” Solid-State Electronics 51 p. 142–147 (2007) { Μικροηλεκτρονική }

Β. Σε Διεθνή Συνέδρια με κριτές:

•  E.K.Evangelou , G.E. Giakoumakis, D.W.Palmer,
“A deep level defect in Al x Ga 1-x As LEDs”,
Solid State Conference, Nottingham , England , 20-22 December 1988.

•  G.E.Giakoumakis, E.K.Evangelou , N.G.Alexandropoulos,
“DLTS techniques and Systems”,
Hungarian-Greek Workshop on the Electronic Properties of Irradiation Induced Lattice Defects in III-V Semiconductor Structures, Budapest, Hungary, 9-14 September 1993. (ίδια με δημοσίευση Νο. A9)

•  E.Evangelou , N.Konofaos, S.Logothetidis and M.Gioti,
“Electrical behaviour of Metal/a-C/Si and Metal/CN/Si devices”,
E-MRS 1998 Spring Meeting, Strasbourg , France , Symposium: “Carbon-based Materials for Microelectronics”, June 16-19, 1998. (ίδια με δημοσίευση Νο. A15)

•  E.Evangelou , N.Konofaos, S.Logothetidis and M.Gioti,
“ Nitrogen Induced States at The CN x /Si Interface”,
E-MRS 1999 Conference, Symposium “Process Induced defects in Semiconductors”, Strasbourg , France , June 1-4, 1999. (ίδια με δημοσίευση Νο. A17)

•  E.Evangelou , N.Konofaos, M.R.Craven, W.M.Cranton and C.B.Thomas, “Characterisation of the BaTiO 3 /p-Si interface and applications”,
ICFSI-7, Göteborg , Sweden , 21-25 June 1999. (ίδια με δημοσίευση Νο. A19)

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou, F.Scholz, K.Zieger and E.Aperathitis,
“Electrical Characterisation of Ga Α s p/i/n Devices For Photovoltaic Applications”,
EXMATEC 2000, Heraklion (2000) ( ίδια με δημοσίευση Νο . A19)

•  E.K.Evangelou, N.Konofaos, X. Aslanoglou, S. Kennou, C.B. Thomas, “Characterisation of BaTiO 3 thin films on p-Si”,
E-MRS 2000, Strassbourg, France, June 2000 ( ίδια με δημοσίευση Νο . A19 )

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou , Zhongchun Wang, V.Kugler and U.Helmersson, “ Ε lectrical characterization of SrTiO 3 /Si interfaces”,
E-MRS Spring Meeting, Strasbourg , France , June 5-8, 2001. (ίδια με δημοσίευση Νο. A 28)

•  N.Konofaos, C.T.Angelis, E.K.Evangelou , N.A.Hastas, Y.Panayiotatos, C.A.Dimitriadis and S.Logothetidis,
“The effects of interface and bulk defects on the electrical performance of amorphous carbon/silicon heterojunctions”,
International Conference on Defects-Recognition and Imaging in Semiconductors, DRIP IX, Rimini, Italy, 25-29 September 2001. (ίδια με δημοσίευση Νο. A29)

•  G. Scarel, D.T. Dekadjevi, E. K. Evangelou , S. Ferrari, S. Spiga, G. Tallarida, C. Wiemer, M. Fanciulli, and G. Pavia,
“Atomic Layer CVD grown high- k dielectric films on Si(001): structural, chemical, and electrical properties”.
III Silicon Workshop, Genova ( Italy ), February 2002.

•  G. Scarel, C. Wiemer, S. Spiga, G. Tallarida, E. K. Evangelou , S. Ferrari, M. Fanciulli, A. Zenkevich, Y. Lebedinskii,
“Comparison of Al 2 O 3 films grown by atomic layer deposition and reactive sputtering”. 2002 MRS Fall Meeting, Boston (MA), USA , December 2002.

•  S.Logothetidis, P.Patsalas, E.K.Evangelou, N.Konofaos , J.Tsiaousis and N.Frangis,
‘Dielectric Properties and Electronic Transitions of Porous and Nanostructured Cerium Oxide Films',
‘‘Functional Metal Oxides – Semiconductor Structures' E-MRS Spring Meeting, June 10-13, 2003, Strasbourg , France . ( αφίσα )

•  N.Konofaos, Z.Wang, Th.Voilas, S.N.Georga, C.A.Krontiras, M.N.Pisanias, J.Sotiropoulos, E.K.Evangelou ,
“ Properties of MOS devices constructed by sol gel deposited BaTiO 3 films on p-Si.”,
Presented at the 2 nd International C onference on Microelectronics Microsystems and Nanotechnology, Athens , Greece 14-17 November 2004. ( αφίσα ).

•  N . Konofaos , I . Deliyianakis , E . K . Evangelou , M . Gioti , S . Logothetidis ,
“An electrical, optical and EPR study of room temperature deposited CN X films on Si.”
Symposium : “J: Synthesis, Characterisation and Advanced Applications of Amorphous Carbon Films”. E - MRS Spring Meeting, May 24-28, 2004 Strasbourg , France . ( αφίσα ).

•  N.Konofaos, E.K.Evangelou , C . A . Dimitriadis , P . Patsalas and S . Logothetidis . “ Field emission properties of sputtered tetrahedral amorphous carbon films deposited at room temperature”.
Symposium : “J: Synthesis, Characterisation and Advanced Applications of Amorphous Carbon Films”. E - MRS Spring Meeting, May 24-28, 2004 Strasbourg , France . (αφίσα).

•  Γ. Μαύρου, Γ. Βελλιανίτης, Α. Δημουλάς, Ε. Ευαγγέλου , Ν. Μπούκος, M. Houssa, M. Caymax
«Υλικό πύλης HfO 2 υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς σε υποστρώματα Γερμανίου», MMN 2004, Athens, 14-17 Νοεμβρίου 2004 (αφίσα)

•  A. Dimoulas, G. Mavrou, G. Vellianitis, E. Evangelou , N. Boukos, A. Travlos, M. Houssa and M. Caymax
“ HfO 2 high-k gate dielectrics on germanium by molecular beam deposition ”,
35 th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, San Diego, California, December 9-11, 2004.( ομιλία )

•  A. Dimoulas, G. Mavrou, G. Vellianitis, E. Evangelou , N. Boukos, M. Houssa,
“HfO 2 high-k gate dielectrics on high mobility semiconductors by atomic-oxygen-beam-assisted deposition” ,
MRS Spring Meeting, San Fransisco (CA), USA, March 28 – April 1, 2005

•  Dimoulas, G. Vellianitis, E. Evangelou , G. Mavrou, K. Argyropoulos, M. Houssa, M. Caymax,
“Short minority carrier response time in HfO 2 /Ge M-I-S capacitors” ,
A. INFOS 2005 – Insulating Films on Semiconductors, Provinciehuis, Leuven, Belgium, June 22-24, 2005